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参数目录36979
> MBT35200MT1G TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
型号:
MBT35200MT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MBT35200MT1G PDF
产品变化通告
Wire Change 08/Jun/2009
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
35V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
310mV @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 1.5A,1.5V
功率 - 最大
625mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
标准包装
其它名称
MBT35200MT1GOSDKR
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